职责描述:
1. 在团队领导的带领下,共同完成公司的产品开发任务,并积极完成领导分配的任务;
2. 参与多种硅基、第三代半导体的射频电路和系统的设计;
3. 参与射频集成电路产品的设计研发,主攻宽频高功率固态放大器和射频前端模组,复杂射频前端模组的研发设计,同时参与研发低噪声放大器、开关、衰减器、移相器等有源产品的设计调试;
4. 参与射频集成电路封装模组的总体设计;
5. 参与射频集成电路封装模组调试和测试;
6. 协助完成设计文档的撰写。
任职要求:
1. 集成电路、电磁场与微波、微电子、电子工程类硕士及以上学历(经验丰富者条件可放宽);
2. 具有射频IC设计与测试、流片经验者优先;
3. 了解射频前端模组的设计流程,包括功率放大器,低噪声放大器,射频开关,射频匹配及功率合成等;
4. 至少熟知一种或多种电路和EM设计仿真工具,包括HFSS/SONET,ADS,Cadence等进行电路或电磁场仿真;
5. 了解射频IC测试系统,包括网络分析仪、频谱仪、信号源,熟悉各种有源、无源电路和器件的测试流程;
6. 良好的英语能力;优秀的团队合作精神及技术创新能力。
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