、招聘岗位:助理研究员,博士后,高级工程师,共2人
二、岗位职责:
助理研究员:GaN激光器外延生长与表征
博士后:GaN激光器外延生长与表征或芯片工艺
高级工程师:GaN激光器芯片工艺
三、岗位要求:
1,具有博士学位或硕士学位工作8年以上;
2,材料、物理或光电子等相关专业研究背景;
3,工作认真负责,具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力;
4,具有半导体激光器生长制备或者GaN基半导体材料生长及器件制备经验者优先。
四、岗位待遇:
根据工作经历和业绩面议。
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